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制備Tb摻雜Ag2S稀磁半導(dǎo)體微米顆粒的方法R已注冊(cè)

專利類型:
發(fā)明專利
專利號(hào):
2015108069847.9
適用行業(yè):
化學(xué)
有效期至:
2035-11-21

參考價(jià)格:議價(jià)

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